5企公開最新Micro LED專利

　　近日，錼創顯示、芯(xin)映光電、高科(ke)華燁(ye)、高像、芯(xin)聚半導體公布Micro LED專(zhuan)利(li)，涉及基板、顯示模(mo)組(zu)、 MIP封(feng)裝(zhuang)、巨量轉移等。

　　錼創顯示科技：微型發光二極管顯示面板專利

 　　國(guo)家知識產權(quan)局信息顯(xian)示(shi)，錼創顯(xian)示(shi)科技(ji)股份有(you)限公司(si)申請(qing)一項名為“微型(xing)發光二極管顯(xian)示(shi)面板”的專利(li)，公開號CN118748234A，申請(qing)日期為2021年8月。

　　圖片(pian)來源：國(guo)家知(zhi)識產權局

　　專利摘要顯示(shi)，本發(fa)明提供一種微(wei)型(xing)發(fa)光二極(ji)(ji)管顯示(shi)面板包括第一基板、第二基板、多(duo)個(ge)微(wei)型(xing)發(fa)光二極(ji)(ji)管、波長轉換層(ceng)、遮光圖案(an)層(ceng)、濾光層(ceng)以(yi)及(ji)空氣間隙。

　　這(zhe)些(xie)微型(xing)(xing)(xing)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二極管(guan)設置(zhi)于(yu)第(di)一基(ji)板上(shang)，且(qie)分別位于(yu)多個(ge)子像(xiang)素區(qu)內。這(zhe)些(xie)微型(xing)(xing)(xing)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二極管(guan)適于(yu)發(fa)(fa)(fa)出光(guang)(guang)(guang)束(shu)(shu)。波(bo)(bo)長(chang)轉(zhuan)換(huan)(huan)層(ceng)(ceng)重疊(die)(die)設置(zhi)于(yu)這(zhe)些(xie)微型(xing)(xing)(xing)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二極管(guan)的(de)至少一部分。光(guang)(guang)(guang)束(shu)(shu)用(yong)于(yu)激(ji)發(fa)(fa)(fa)波(bo)(bo)長(chang)轉(zhuan)換(huan)(huan)層(ceng)(ceng)以發(fa)(fa)(fa)出轉(zhuan)換(huan)(huan)光(guang)(guang)(guang)束(shu)(shu)。遮光(guang)(guang)(guang)圖(tu)案層(ceng)(ceng)設置(zhi)于(yu)第(di)二基(ji)板上(shang)。濾(lv)光(guang)(guang)(guang)層(ceng)(ceng)設置(zhi)在波(bo)(bo)長(chang)轉(zhuan)換(huan)(huan)層(ceng)(ceng)與(yu)第(di)二基(ji)板之間(jian)，且(qie)重疊(die)(die)于(yu)這(zhe)些(xie)微型(xing)(xing)(xing)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二極管(guan)。空氣(qi)間(jian)隙設置(zhi)在這(zhe)些(xie)微型(xing)(xing)(xing)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二極管(guan)的(de)任一者、第(di)二基(ji)板、波(bo)(bo)長(chang)轉(zhuan)換(huan)(huan)層(ceng)(ceng)與(yu)濾(lv)光(guang)(guang)(guang)層(ceng)(ceng)的(de)任兩相鄰(lin)者之間(jian)。

　　芯映光電：一種LED基板及顯示模組

　　芯映光電 公布“一種LED基板及顯示模組 ”相關專利進入授權(quan)階(jie)段，公(gong)開(kai)號CN221766782U。

　　圖片來源：國家知識(shi)產(chan)權局

　　該(gai)專利申(shen)請涉(she)及(ji)(ji)一(yi)種(zhong)LED基板(ban)(ban)及(ji)(ji)顯(xian)示(shi)模(mo)組，所(suo)述(shu)(shu)(shu)LED基板(ban)(ban)包括：玻(bo)璃載(zai)(zai)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)玻(bo)璃載(zai)(zai)板(ban)(ban)的(de)(de)第一(yi)板(ban)(ban)面設置(zhi)有(you)導電線(xian)路;HDI線(xian)路板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)HDI線(xian)路板(ban)(ban)固設于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)玻(bo)璃載(zai)(zai)板(ban)(ban)的(de)(de)第二板(ban)(ban)面，且所(suo)述(shu)(shu)(shu)HDI線(xian)路板(ban)(ban)與(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)玻(bo)璃載(zai)(zai)板(ban)(ban)上的(de)(de)導電線(xian)路電連接，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)板(ban)(ban)面與(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二板(ban)(ban)面分別位于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)玻(bo)璃載(zai)(zai)板(ban)(ban)的(de)(de)相對兩側。

　　專利(li)通過在HDI線(xian)路(lu)板上設置(zhi)(zhi)玻璃載(zai)板，并將(jiang)導電線(xian)路(lu)設置(zhi)(zhi)在玻璃載(zai)板上，玻璃載(zai)板的(de)表(biao)(biao)面(mian)(mian)精度(du)和(he)平(ping)整度(du)遠(yuan)(yuan)遠(yuan)(yuan)大于HDI線(xian)路(lu)板的(de)表(biao)(biao)面(mian)(mian)精度(du)和(he)平(ping)整度(du)，有利(li)于芯片的(de)固定安放，能夠(gou)應(ying)用(yong)于Micro LED顯示，解決了相關技(ji)術中HDI多層(ceng)線(xian)路(lu)板制作的(de)基板在Micro LED顯示方面(mian)(mian)難以應(ying)用(yong)的(de)技(ji)術問題。

　　高科華燁：一種Micro MIP器件制成方法

　　山西高科華燁電子集團有限公司 公布“一種Micro MIP器件制成方法” 相關專利進入公(gong)布階段，公(gong)開(kai)號CN118693191A。

　　圖(tu)片來(lai)源：國家知識產(chan)權局

　　該(gai)專利(li)公開了(le)一(yi)(yi)種Micro MIP器件制(zhi)(zhi)成方(fang)(fang)法(fa)(fa)，該(gai)方(fang)(fang)法(fa)(fa)包括以下(xia)步驟：S1.將含有LED芯片的(de)(de)COW與臨時載板鍵(jian)合并(bing)進(jin)行(xing)(xing)激光剝(bo)離;S2.進(jin)行(xing)(xing)三(san)色芯片的(de)(de)巨量(liang)(liang)轉(zhuan)移，將三(san)色芯片按照矩(ju)陣(zhen)排列轉(zhuan)移到同(tong)一(yi)(yi)載板上;S3.準備(bei)一(yi)(yi)塊鋼化(hua)(hua)玻璃，并(bing)在其單面進(jin)行(xing)(xing)膠水涂(tu)布;S4.在鋼化(hua)(hua)玻璃表面按照矩(ju)陣(zhen)排列進(jin)行(xing)(xing)金(jin)屬(shu)(shu)走線和金(jin)屬(shu)(shu)焊(han)盤(pan)的(de)(de)沉積;S5.通(tong)過巨量(liang)(liang)焊(han)接(jie)技術將芯片載板與已制(zhi)(zhi)備(bei)線路的(de)(de)鋼化(hua)(hua)玻璃焊(han)接(jie);S6.通(tong)過激光剝(bo)離技術剝(bo)離芯片的(de)(de)載板;S7.對鋼化(hua)(hua)玻璃上的(de)(de)結構進(jin)行(xing)(xing)封裝;S8.通(tong)過隱切方(fang)(fang)式對Micro MIP器件進(jin)行(xing)(xing)切割。

　　通過本發明的制成技術，可以制備出Micro LED顯示屏所(suo)需的(de)Micro MIP器件(jian)，解決(jue)Micro MIP制成周期長、難以實現量(liang)產全自動的(de)問題。本發明的(de)制成方(fang)法簡單高(gao)效。

　　高科視像：一種新型Micro LED巨量轉移系統及方法

　　山西高科視像科技有限公司 公布“一種新型Micro LED巨量轉移系統及方法” 相關專利(li)并進入公布階段(duan)，公開(kai)號CN118737911A。

　　圖片來源：國(guo)家知識產權局

　　該專利(li)(li)發明提(ti)供了一種新型Micro LED巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)系統及方(fang)法(fa)，屬(shu)于Micro LED巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)技術領域;解決了普通轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)方(fang)法(fa)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)良率降低、檢(jian)測(ce)修(xiu)(xiu)復(fu)困難的(de)(de)問(wen)題;包括集巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)、巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)檢(jian)測(ce)和巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)修(xiu)(xiu)復(fu)于一體的(de)(de)巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)系統;巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)是利(li)(li)用轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)頭通過真空將芯(xin)(xin)片吸(xi)起，巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)檢(jian)測(ce)是利(li)(li)用梯形保護(hu)罩兩側的(de)(de)光電檢(jian)測(ce)裝置測(ce)得(de)Micro LED芯(xin)(xin)片的(de)(de)工作電壓、亮度和發光波長等參數與(yu)預(yu)設值做比對，巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)修(xiu)(xiu)復(fu)是利(li)(li)用巨(ju)(ju)(ju)量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)頭通過信息(xi)端反饋的(de)(de)數據，控(kong)制端控(kong)制吸(xi)嘴的(de)(de)開關(guan)，實現(xian)目標基(ji)板上芯(xin)(xin)片空缺位置的(de)(de)點(dian)對點(dian)補位。

　　本(ben)發明旨(zhi)在優化Micro LED集成封裝技術，并且通過新型的(de)(de)技術提升了(le)巨量轉移良率，降低修(xiu)復成本(ben)，提高顯(xian)示模(mo)組的(de)(de)色彩均(jun)勻(yun)度。

　　芯聚半導體：Micro LED芯片及其制備方法

　　芯聚半導體 公布“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關專利(li)進入(ru)公布階段，公開號CN118748233A。

　　該專(zhuan)利發(fa)(fa)(fa)明了一種Micro LED芯片及(ji)其制(zhi)備(bei)方法，Micro LED芯片包括沿出(chu)光(guang)(guang)方向依次堆(dui)疊設置的第(di)一發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)(ceng)、第(di)二(er)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)(ceng)、第(di)三發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)(ceng)和基(ji)板、以及(ji)粘(zhan)結各層(ceng)(ceng)(ceng)的粘(zhan)結層(ceng)(ceng)(ceng)，粘(zhan)結層(ceng)(ceng)(ceng)包括多(duo)個透光(guang)(guang)孔(kong)(kong)，透光(guang)(guang)孔(kong)(kong)與(yu)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)(ceng)的發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)單元芯片的出(chu)光(guang)(guang)方向對(dui)齊。

　　圖片(pian)來源：國家知識產權局

　　該垂(chui)直堆疊式(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)Micro LED芯(xin)片通過(guo)透光(guang)(guang)(guang)孔的(de)(de)(de)(de)(de)設(she)計減少了(le)(le)光(guang)(guang)(guang)線穿過(guo)有(you)(you)機物的(de)(de)(de)(de)(de)面積，避(bi)免了(le)(le)因有(you)(you)機物材料的(de)(de)(de)(de)(de)不穩定性(xing)造(zao)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)透光(guang)(guang)(guang)率(lv)不確定、以及有(you)(you)機物材料引發(fa)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)顏色變化的(de)(de)(de)(de)(de)問題，從而(er)一方面顯(xian)著提(ti)高了(le)(le)光(guang)(guang)(guang)傳輸效(xiao)(xiao)率(lv)和(he)LED芯(xin)片的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)光(guang)(guang)(guang)效(xiao)(xiao)率(lv)，減少了(le)(le)光(guang)(guang)(guang)損(sun)耗(hao)，另一方面提(ti)高了(le)(le)混光(guang)(guang)(guang)效(xiao)(xiao)果(guo)，保持了(le)(le)整個面板顯(xian)示顏色的(de)(de)(de)(de)(de)一致(zhi)性(xing)。該Micro LED在尺寸更小的(de)(de)(de)(de)(de)同時顯(xian)著提(ti)升了(le)(le)顯(xian)示效(xiao)(xiao)果(guo)，增強了(le)(le)顯(xian)示亮度和(he)色彩(cai)純度。