Micro LED及核心工藝介紹

　　1、microLED簡介

　　microLED，簡單來說，就是在(zai)一顆芯片上集成高密(mi)度(du)微小尺寸(<100μm)的LED陣列。

　　相比(bi)(bi)于(yu)已經大(da)規(gui)模量(liang)產的LCD和(he)(he)OLED技術，microLED幾乎(hu)在各個技術維度上都有著碾(nian)壓般(ban)的性能優勢：長壽命(ming)，高對比(bi)(bi)度，高分辨率，響應(ying)速度快，更廣(guang)的視(shi)角，豐(feng)富(fu)的色彩(cai)，超高的亮度和(he)(he)更低的功耗。microLED促使向輕薄化、低功耗、高亮度方向發(fa)展。

　　2、microLED使用場景（市場潛力巨大）：

　　3、microLED主要產業鏈：（這部分內容將在下個專題中重點闡述）

　　4、microLED核心工藝——巨量轉移技術

　　與OLED顯(xian)示(shi)技術(shu)不(bu)同，無(wu)機LED無(wu)法在玻璃或(huo)其他大尺(chi)寸(cun)襯(chen)(chen)底(di)進行大面積的(de)(de)制作(zuo)，因(yin)此(ci)需要(yao)在半導體襯(chen)(chen)底(di)上進行制作(zuo)，然后再轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)到(dao)驅(qu)動背板(ban)上。當前LED所采(cai)用(yong)(yong)的(de)(de)襯(chen)(chen)底(di)一(yi)般為(wei)藍寶(bao)石(shi)，但(dan)藍寶(bao)石(shi)與外(wai)延層之間的(de)(de)晶格和熱膨脹系數不(bu)匹配，當尺(chi)寸(cun)增大時會因(yin)為(wei)應(ying)力而(er)(er)造成(cheng)(cheng)(cheng)彎曲。而(er)(er)且藍寶(bao)石(shi)襯(chen)(chen)底(di)與目前大規模集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路芯片不(bu)兼(jian)容，因(yin)此(ci)也有(you)采(cai)用(yong)(yong)硅作(zuo)為(wei)外(wai)延襯(chen)(chen)底(di)的(de)(de)方(fang)(fang)案(an)，但(dan)無(wu)論哪種襯(chen)(chen)底(di)形(xing)式(shi)，LED在制作(zuo)成(cheng)(cheng)(cheng)應(ying)用(yong)(yong)成(cheng)(cheng)(cheng)品時都或(huo)多或(huo)少需要(yao)進行轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)動作(zuo)。傳(chuan)統轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)式(shi)一(yi)次(ci)只能(neng)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)數顆器件(jian)，而(er)(er)對于一(yi)塊常見的(de)(de)顯(xian)示(shi)屏(ping)而(er)(er)言(yan)，往往需要(yao)完(wan)成(cheng)(cheng)(cheng)數百萬(wan)甚至更多微器件(jian)的(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)，因(yin)此(ci)這種轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)式(shi)對實(shi)際量產而(er)(er)言(yan)是不(bu)現實(shi)的(de)(de)技術(shu)路線。要(yao)完(wan)成(cheng)(cheng)(cheng)microLED現實(shi)屏(ping)的(de)(de)制作(zuo)，必(bi)須(xu)采(cai)用(yong)(yong)巨(ju)量轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技術(shu)，即一(yi)次(ci)能(neng)夠轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)大量的(de)(de)器件(jian)到(dao)驅(qu)動基板(ban)上，在保持巨(ju)量轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)的(de)(de)基礎(chu)上，還必(bi)須(xu)同時保證轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)的(de)(de)精度，良率及工藝的(de)(de)可(ke)靠性(xing)等。

　　目(mu)前microLED巨量轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)有好幾種并(bing)行技(ji)(ji)術(shu)流派(pai)，根據轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)過程中的作用(yong)力(li)(li)或具體(ti)的轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)方(fang)式(shi)，大致可以分為(wei)：范德華力(li)(li)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)、磁場力(li)(li)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)、靜電(dian)力(li)(li)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)、自對準(zhun)滾(gun)輪轉(zhuan)印技(ji)(ji)術(shu)、自組(zu)裝轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)及激光轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)。

　　1)、范(fan)德華力拾取轉移技(ji)術：

　　范(fan)(fan)德華力拾(shi)(shi)(shi)取(qu)轉(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)技(ji)術(shu)，又(you)稱微轉(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)印(yin)刷(μTP)技(ji)術(shu)，其技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)關鍵是采用(yong)高聚物印(yin)章(zhang)(zhang)的(de)(de)(de)力學(xue)特性來完成巨量轉(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)中(zhong)界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)粘(zhan)性力調控挑戰，如圖所示，其流程可(ke)分為拾(shi)(shi)(shi)取(qu)和(he)放(fang)置(zhi)兩個(ge)(ge)過(guo)(guo)(guo)(guo)程：拾(shi)(shi)(shi)取(qu)過(guo)(guo)(guo)(guo)程主(zhu)要依靠彈(dan)性圖章(zhang)(zhang)與(yu)待轉(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)器(qi)件(jian)之間的(de)(de)(de)范(fan)(fan)德華力從(cong)施主(zhu)基(ji)(ji)體(ti)(ti)上(shang)剝(bo)離(li);放(fang)置(zhi)過(guo)(guo)(guo)(guo)程是利用(yong)印(yin)章(zhang)(zhang)將(jiang)(jiang)microLED功(gong)能器(qi)件(jian)(或(huo)無機(ji)薄(bo)膜(mo))印(yin)制到受(shou)主(zhu)基(ji)(ji)體(ti)(ti)上(shang)。在(zai)這兩個(ge)(ge)過(guo)(guo)(guo)(guo)程中(zhong)，解決界(jie)(jie)面(mian)(mian)粘(zhan)附(fu)主(zhu)要涉及印(yin)章(zhang)(zhang)/microLED和(he)microLED/基(ji)(ji)體(ti)(ti)兩個(ge)(ge)界(jie)(jie)面(mian)(mian)之間的(de)(de)(de)斷裂形成“競爭(zheng)斷裂”機(ji)制。在(zai)拾(shi)(shi)(shi)取(qu)過(guo)(guo)(guo)(guo)程中(zhong)，印(yin)章(zhang)(zhang)/microLED界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)黏(nian)附(fu)作用(yong)應(ying)(ying)該(gai)大于(yu)元件(jian)/贈體(ti)(ti)基(ji)(ji)底(di)界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)黏(nian)附(fu)作用(yong)，從(cong)而實現將(jiang)(jiang)元件(jian)薄(bo)膜(mo)從(cong)贈底(di)基(ji)(ji)底(di)上(shang)剝(bo)離(li)，放(fang)置(zhi)過(guo)(guo)(guo)(guo)程中(zhong)，microLED元件(jian)/印(yin)章(zhang)(zhang)界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)黏(nian)附(fu)應(ying)(ying)該(gai)小于(yu)microLED/柔性受(shou)體(ti)(ti)界(jie)(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)黏(nian)附(fu)，實現將(jiang)(jiang)microLED器(qi)件(jian)轉(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)到柔性受(shou)體(ti)(ti)。然而，從(cong)源(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板上(shang)依靠范(fan)(fan)德華力直接拾(shi)(shi)(shi)取(qu)microLED很難突破(po)生(sheng)長層的(de)(de)(de)束縛的(de)(de)(de)，通(tong)常需要對源(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板做處理，用(yong)氫氧化鉀(KOH)或(huo)氫氧化四(si)甲(jia)銨(an)的(de)(de)(de)濕法化學(xue)蝕刻(ke)去除(chu)Si與(yu)Si的(de)(de)(de)平面(mian)(mian)，將(jiang)(jiang)每個(ge)(ge)器(qi)件(jian)連接到這些(xie)區域中(zhong)的(de)(de)(de)硅(gui)從(cong)而在(zai)不腐蝕硅(gui)晶片深度的(de)(de)(de)情況下對器(qi)件(jian)進行了(le)底(di)切，硅(gui)的(de)(de)(de)浮(fu)雕(diao)結(jie)構(gou)保留在(zai)器(qi)件(jian)之間的(de)(de)(de)正交方(fang)向(xiang)上(shang)，此時microLED結(jie)構(gou)中(zhong)的(de)(de)(de)GaN形成了(le)小支(zhi)撐結(jie)構(gou)(即錨)，整個(ge)(ge)μLED通(tong)過(guo)(guo)(guo)(guo)兩個(ge)(ge)錨結(jie)構(gou)懸浮(fu)連接在(zai)基(ji)(ji)板上(shang)，此時可(ke)以使(shi)用(yong)圖章(zhang)(zhang)轉(zhuan)(zhuan)印(yin)方(fang)式以非破(po)壞性，高速和(he)并行操作將(jiang)(jiang)其移(yi)(yi)離(li)源(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板。

　　2)、磁場力轉移技術：

　　磁(ci)(ci)場(chang)(chang)力(li)轉移(yi)技(ji)術(shu)是在(zai)微(wei)(wei)轉移(yi)印(yin)(yin)(yin)刷(μTP)工藝(yi)的(de)基(ji)礎上(shang)，基(ji)于(yu)(yu)(yu)生(sheng)物材料(liao)工程技(ji)術(shu)制(zhi)造印(yin)(yin)(yin)章(zhang)使(shi)用微(wei)(wei)結構控(kong)制(zhi)材料(liao)表(biao)面的(de)特征(zheng)，使(shi)用磁(ci)(ci)流(liu)(liu)變(bian)彈(dan)性(xing)(xing)體(ti)，根據(ju)磁(ci)(ci)場(chang)(chang)控(kong)制(zhi)機械(xie)性(xing)(xing)能(neng)實現(xian)轉移(yi)工作。具(ju)體(ti)轉移(yi)流(liu)(liu)程如(ru)圖所示，為了(le)將microLED與(yu)生(sheng)長基(ji)板(ban)分離，microLED與(yu)彈(dan)性(xing)(xing)印(yin)(yin)(yin)章(zhang)之間(jian)(jian)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)界面處的(de)粘(zhan)(zhan)合力(li)(SDF)必(bi)(bi)須大(da)于(yu)(yu)(yu)在(zai)基(ji)板(ban)與(yu)microLED之間(jian)(jian)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)界面處的(de)粘(zhan)(zhan)合力(li)(MDF);要將從源基(ji)板(ban)上(shang)拾取(qu)的(de)microLED轉移(yi)到目標基(ji)板(ban)，粘(zhan)(zhan)合力(li)(SDF)必(bi)(bi)須大(da)于(yu)(yu)(yu)在(zai)microLED和(he)印(yin)(yin)(yin)章(zhang)之間(jian)(jian)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)界面處產生(sheng)的(de)粘(zhan)(zhan)合力(li)(TDF)，這(zhe)(zhe)一(yi)流(liu)(liu)程與(yu)前述微(wei)(wei)轉移(yi)印(yin)(yin)(yin)刷技(ji)術(shu)一(yi)致(zhi)，但不同(tong)點在(zai)于(yu)(yu)(yu)這(zhe)(zhe)項研究(jiu)提出了(le)一(yi)種(zhong)磁(ci)(ci)流(liu)(liu)變(bian)彈(dan)性(xing)(xing)體(ti)(MRE)，是用光刻工藝(yi)制(zhi)備表(biao)面仿生(sheng)微(wei)(wei)結構并添加羰基(ji)鐵(tie)(CI)粉末(mo)的(de)一(yi)種(zhong)彈(dan)性(xing)(xing)印(yin)(yin)(yin)章(zhang)，彈(dan)性(xing)(xing)印(yin)(yin)(yin)章(zhang)引入柱(zhu)形微(wei)(wei)結構以調節界面粘(zhan)(zhan)性(xing)(xing)力(li)，而(er)脫(tuo)附力(li)則隨著外加磁(ci)(ci)場(chang)(chang)和(he)CI顆(ke)(ke)粒含量的(de)不同(tong)而(er)變(bian)化，施加的(de)磁(ci)(ci)場(chang)(chang)強度(du)越(yue)大(da)，CI粒子之間(jian)(jian)的(de)間(jian)(jian)隙(xi)越(yue)小，由于(yu)(yu)(yu)當CI顆(ke)(ke)粒分散在(zai)硅基(ji)質中時(shi)兩(liang)種(zhong)材料(liao)之間(jian)(jian)的(de)界面結合強度(du)降低(di)，因(yin)此機械(xie)性(xing)(xing)能(neng)降低(di)。此外CI粒徑(jing)越(yue)小，MR效(xiao)應越(yue)小，這(zhe)(zhe)是因(yin)為顆(ke)(ke)粒之間(jian)(jian)的(de)拉力(li)弱(ruo)。當CI顆(ke)(ke)粒的(de)含量降低(di)時(shi)，相互吸引的(de)顆(ke)(ke)粒數(shu)量減少，這(zhe)(zhe)導(dao)致(zhi)MR效(xiao)應降低(di)和(he)硬度(du)降低(di)。通過(guo)調節CI粒子的(de)比列和(he)外加磁(ci)(ci)場(chang)(chang)的(de)大(da)小，粘(zhan)(zhan)附力(li)變(bian)化如(ru)圖所示。

　　3)、靜(jing)電力轉移技術：

　　靜電力(li)(li)轉(zhuan)移(yi)技術(shu)是通(tong)(tong)過(guo)對(dui)轉(zhuan)移(yi)頭(tou)通(tong)(tong)電產生的(de)(de)靜電引力(li)(li)或斥力(li)(li)作(zuo)為拾取(qu)和放(fang)(fang)置微器(qi)件的(de)(de)方(fang)法。轉(zhuan)移(yi)裝置如圖(tu)所示(shi)，單(dan)個轉(zhuan)移(yi)頭(tou)由帶(dai)有可獨立通(tong)(tong)電的(de)(de)單(dan)電極或雙電極凸臺構成(cheng)，并在(zai)基(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)與(yu)(yu)(yu)μLED節距成(cheng)整數倍相匹配的(de)(de)陣(zhen)(zhen)列，μLED陣(zhen)(zhen)列從源(yuan)基(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)(shang)通(tong)(tong)過(guo)剝離(li)方(fang)式釋放(fang)(fang)并固(gu)定在(zai)帶(dai)有粘合(he)層(ceng)的(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)(shang)，其(qi)實(shi)現(xian)轉(zhuan)移(yi)的(de)(de)過(guo)程如圖(tu)所示(shi)，首先(xian)將轉(zhuan)移(yi)頭(tou)陣(zhen)(zhen)列移(yi)動(dong)至μLED陣(zhen)(zhen)列上(shang)(shang)(shang)方(fang)，對(dui)準后與(yu)(yu)(yu)μLED上(shang)(shang)(shang)表面接(jie)(jie)觸(chu);然后選擇(ze)性地施加(jia)電壓(ya)在(zai)轉(zhuan)移(yi)頭(tou)地電極上(shang)(shang)(shang)，對(dui)相應位置的(de)(de)μLED產生抓(zhua)取(qu)力(li)(li)，同時轉(zhuan)移(yi)頭(tou)在(zai)電壓(ya)作(zuo)用下(xia)自(zi)身(shen)加(jia)熱至高于粘合(he)層(ceng)液(ye)相線的(de)(de)溫(wen)度，μLED與(yu)(yu)(yu)基(ji)板(ban)(ban)間的(de)(de)粘附(fu)力(li)(li)被減弱(ruo)，轉(zhuan)移(yi)頭(tou)拾取(qu)μLED及粘附(fu)層(ceng)的(de)(de)一(yi)部分移(yi)動(dong)至接(jie)(jie)收(shou)基(ji)板(ban)(ban)的(de)(de)目標位置上(shang)(shang)(shang)方(fang)，對(dui)準后斷(duan)開電壓(ya)，粘結(jie)層(ceng)與(yu)(yu)(yu)接(jie)(jie)收(shou)基(ji)板(ban)(ban)冷卻固(gu)結(jie)后移(yi)走轉(zhuan)移(yi)頭(tou)實(shi)現(xian)放(fang)(fang)置。

　　4)、自(zi)對準滾輪(lun)轉印(yin)技術：

　　韓國(guo)機(ji)(ji)械與(yu)(yu)材(cai)料研究(jiu)所(suo)( KIMM)提(ti)(ti)出了(le)自對準(zhun)滾印(yin)(yin)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)，該技(ji)術(shu)使用(yong)彎曲的(de)PDMS壓(ya)(ya)(ya)模(mo)實現轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)，并(bing)通(tong)過計(ji)算機(ji)(ji)界(jie)面(mian)控制(zhi)的(de)卷(juan)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)系統(tong)進(jin)行系統(tong)帶有PDMS印(yin)(yin)章(zhang)的(de)滾輪與(yu)(yu)待轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)器(qi)(qi)件接(jie)(jie)觸，并(bing)提(ti)(ti)供實時反饋，microLED可(ke)(ke)以通(tong)過兩(liang)個安裝的(de)顯微(wei)(wei)鏡與(yu)(yu)接(jie)(jie)收器(qi)(qi)基板(ban)(ban)精(jing)確(que)(que)(que)對準(zhun)，然后轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)到(dao)接(jie)(jie)收器(qi)(qi)基板(ban)(ban)。具體轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)過程如(ru)圖(tu)所(suo)示，帶有PDMS壓(ya)(ya)(ya)模(mo)的(de)輥(gun)在供體基板(ban)(ban)上(shang)的(de)microLED上(shang)移(yi)(yi)(yi)動(dong)。通(tong)過優化(hua)施(shi)主基板(ban)(ban)和(he)輥(gun)之(zhi)(zhi)間的(de)夾緊力(li)(li)，可(ke)(ke)以將微(wei)(wei)型(xing)LED準(zhun)確(que)(que)(que)地轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)到(dao)PDMS壓(ya)(ya)(ya)模(mo)上(shang)。之(zhi)(zhi)后，滾軸系統(tong)將微(wei)(wei)型(xing)LED轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)到(dao)接(jie)(jie)收器(qi)(qi)基板(ban)(ban)上(shang)TFT的(de)相應(ying)位置，通(tong)過使用(yong)安裝在卷(juan)對卷(juan)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)機(ji)(ji)上(shang)的(de)兩(liang)個顯微(wei)(wei)鏡，可(ke)(ke)以將TFT和(he)微(wei)(wei)型(xing)LED精(jing)確(que)(que)(que)對準(zhun)。因此，微(wei)(wei)型(xing)LED中放入接(jie)(jie)收器(qi)(qi)襯底上(shang)。在滾輪轉(zhuan)印(yin)(yin)過程中，壓(ya)(ya)(ya)模(mo)與(yu)(yu)切(qie)屑之(zhi)(zhi)間的(de)界(jie)面(mian)粘附力(li)(li)不僅取決于(yu)壓(ya)(ya)(ya)模(mo)的(de)速度，還取決于(yu)壓(ya)(ya)(ya)模(mo)的(de)半徑。為了(le)進(jin)一步擴大滾輪轉(zhuan)印(yin)(yin)附著(zhu)力(li)(li)控制(zhi)，引入了(le)成角度的(de)立柱(zhu)以通(tong)過縮回方向控制(zhi)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)，但是(shi)必須嚴格控制(zhi)模(mo)具與(yu)(yu)水平輸送板(ban)(ban)之(zhi)(zhi)間的(de)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)以防止損壞μLED。此外，由(you)(you)于(yu)這種技(ji)術(shu)的(de)大規模(mo)轉(zhuan)移(yi)(yi)(yi)，通(tong)常(chang)有必要(yao)設計(ji)一種具有微(wei)(wei)柱(zhu)結構(gou)的(de)陣列壓(ya)(ya)(ya)模(mo)，以適應(ying)不同的(de)接(jie)(jie)收基板(ban)(ban)。由(you)(you)于(yu)范德華(hua)力(li)(li)，相鄰(lin)的(de)微(wei)(wei)柱(zhu)會彼此自接(jie)(jie)觸，這有一定的(de)局限(xian)性。

　　5)、自組裝轉移技術：

　　精準拾取技(ji)術雖然(ran)選擇(ze)性相(xiang)對(dui)好(hao)且產(chan)率(lv)高，但由于轉(zhuan)移(yi)頭的尺(chi)寸(cun)限制，傳遞速度大(da)大(da)降低。相(xiang)比(bi)而言(yan)，自組裝(zhuang)技(ji)術可以提(ti)供很高的轉(zhuan)移(yi)速率(lv)，該技(ji)術是以elux公司提(ti)出的流(liu)體自組裝(zhuang)為代表，其轉(zhuan)移(yi)原理是將大(da)量(liang)微LED元(yuan)件(jian)放置(zhi)于轉(zhuan)移(yi)系統中，以流(liu)體力(li)或磁力(li)轉(zhuan)移(yi)作用力(li)使得芯片以一定(ding)的速度快速移(yi)動，以動態注入速率(lv)穿過接(jie)收器基(ji)(ji)板，然(ran)后(hou)懸浮液(ye)將微LED捕獲在孔(kong)中，自行完(wan)成與基(ji)(ji)板相(xiang)應組裝(zhuang)位(wei)置(zhi)的對(dui)位(wei)組裝(zhuang)方式，然(ran)后(hou)在退(tui)火后(hou)將其電連接(jie)到相(xiang)應孔(kong)的電接(jie)口。

　　6)、激光轉移(yi)技術：

　　激(ji)(ji)(ji)光(guang)無(wu)接觸(chu)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)是(shi)(shi)以激(ji)(ji)(ji)光(guang)為(wei)驅動實(shi)現無(wu)接觸(chu)選(xuan)(xuan)擇性(xing)加工，并(bing)以圖(tu)(tu)(tu)案化(hua)方式(shi)(shi)實(shi)現microLED陣(zhen)列(lie)化(hua)和(he)批量(liang)(liang)(liang)化(hua)的(de)(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)。Uniqarta的(de)(de)(de)激(ji)(ji)(ji)光(guang)使能高(gao)級放(fang)置(LEAP)是(shi)(shi)一種(zhong)非接觸(chu)式(shi)(shi)方法，通過(guo)(guo)這種(zhong)方法，激(ji)(ji)(ji)光(guang)可以將芯片(pian)(pian)(pian)從(cong)載體轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)到(dao)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)，并(bing)具有高(gao)精度和(he)高(gao)產(chan)量(liang)(liang)(liang)。多(duo)個模具通過(guo)(guo)單(dan)個掃描激(ji)(ji)(ji)光(guang)同時(shi)傳送，從(cong)而(er)最大(da)限(xian)度地減少了對(dui)機械運動的(de)(de)(de)需求。這使每(mei)小時(shi)的(de)(de)(de)貼裝速(su)度超過(guo)(guo)1億個單(dan)位，比任何(he)其他裸(luo)片(pian)(pian)(pian)貼裝技(ji)術(shu)都要高(gao)幾個數量(liang)(liang)(liang)級。QMAT開發的(de)(de)(de)巨量(liang)(liang)(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)是(shi)(shi)束尋(xun)址釋放(fang)(BAR)，利用(yong)激(ji)(ji)(ji)光(guang)束將大(da)量(liang)(liang)(liang)microLED從(cong)源(yuan)基(ji)(ji)板(ban)(ban)快速(su)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)到(dao)目(mu)標基(ji)(ji)板(ban)(ban)。原理圖(tu)(tu)(tu)如圖(tu)(tu)(tu)所(suo)示,激(ji)(ji)(ji)光(guang)透過(guo)(guo)透板(ban)(ban)作用(yong)在(zai)激(ji)(ji)(ji)光(guang)釋放(fang)層(ceng)，通過(guo)(guo)光(guang)熱(re)作用(yong)使的(de)(de)(de)芯片(pian)(pian)(pian)與原基(ji)(ji)板(ban)(ban)分離(li)達到(dao)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)，在(zai)進(jin)行(xing)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)前(qian)，由(you)用(yong)戶(hu)電(dian)腦將前(qian)一步所(suo)檢測得到(dao)的(de)(de)(de)芯片(pian)(pian)(pian)好壞文(wen)件進(jin)行(xing)處(chu)理并(bing)記憶，在(zai)進(jin)行(xing)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)時(shi)遇到(dao)壞點(dian)(dian)激(ji)(ji)(ji)光(guang)則繞過(guo)(guo)，可以避(bi)免(mian)將壞點(dian)(dian)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)到(dao)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)，提高(gao)了良率。Optovate公司(si)的(de)(de)(de)選(xuan)(xuan)擇性(xing)激(ji)(ji)(ji)光(guang)剝(bo)離(li)(p-LLO)工藝(yi)使用(yong)準分子激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)在(zai)藍(lan)寶石晶(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)生(sheng)長界面處(chu)照亮稀疏(shu)分離(li)的(de)(de)(de)裸(luo)片(pian)(pian)(pian)大(da)小的(de)(de)(de)氮化(hua)鎵區(qu)域。紫外線照射會(hui)產(chan)生(sheng)鎵金屬(shu)和(he)氮氣，這些氣體可控(kong)制地將微型LED燒蝕到(dao)接收器(qi)工具或基(ji)(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)。這種(zhong)選(xuan)(xuan)擇性(xing)陣(zhen)列(lie)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)工藝(yi)使microLED制造商能夠應對(dui)GaN晶(jing)圓(yuan)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)變化(hua)，包括生(sheng)長缺陷，顏色和(he)正向電(dian)壓。此外，p-LLO的(de)(de)(de)選(xuan)(xuan)擇性(xing)光(guang)學尋(xun)址功能使晶(jing)圓(yuan)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)預轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)特性(xing)數據能夠編碼為(wei)microLED提取圖(tu)(tu)(tu)案，并(bing)用(yong)于(yu)播種(zhong)和(he)回填microLED背板(ban)(ban)，從(cong)而(er)優化(hua)了總產(chan)量(liang)(liang)(liang)。