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    Micro LED開啟大屏顯示新“視界”

    來源:LEDinside        編輯:ZZZ    2025-05-06 09:09:34     加入收藏    咨詢

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    Micro LED技術憑借其無機自發光特性,在提升顯示一致性、亮度及壽命等方面展現出顯著優勢,因而在大屏顯示應用領域具備發展潛力。

      隨著信(xin)息化和(he)智(zhi)能化水平的(de)不斷(duan)提升(sheng),指揮調度中(zhong)心(xin)、高(gao)端會議室、數字廣告牌乃(nai)至家(jia)庭影院(yuan)等各類應(ying)用場景(jing),對、超(chao)高(gao)清顯示的(de)需(xu)求(qiu)持續攀升(sheng)。同時,用戶對視覺體驗的(de)要求(qiu)也日益提高(gao),這對現有的(de)顯示技術(shu)提出了(le)更高(gao)的(de)要求(qiu)。

      然而,面對日益增長(chang)的(de)(de)市場需(xu)求,LCD、OLED等現(xian)有顯示(shi)(shi)技(ji)術(shu)在應用(yong)于大屏顯示(shi)(shi)領(ling)域時,其(qi)固有的(de)(de)瓶(ping)頸也逐漸顯現(xian)。相比之下,Micro LED技(ji)術(shu)憑借(jie)其(qi)無(wu)機(ji)自發(fa)光特性(xing),在提升顯示(shi)(shi)一致性(xing)、亮(liang)度及壽命等方(fang)面展(zhan)現(xian)出顯著優勢,因而在大屏顯示(shi)(shi)應用(yong)領(ling)域具備發(fa)展(zhan)潛力(li)。

     

    Micro LED大屏顯示產品不斷涌現

      Micro LED技術具備(bei)超(chao)高顯(xian)示(shi)性能、無(wu)限拼(pin)接擴展和近乎零拼(pin)縫設計等優勢,可以(yi)很(hen)好地滿足大(da)屏顯(xian)示(shi)的(de)市場需求。Micro LED作(zuo)為實(shi)現大(da)屏顯(xian)示(shi)的(de)關鍵技術路(lu)徑,通過模塊化設計有效(xiao)解決了傳統顯(xian)示(shi)在尺(chi)寸擴展和拼(pin)縫控制上的(de)技術瓶頸。

      市場上的高端大屏顯示產品已能看到Micro LED技術的落地應用。例如, 的The Wall系列和 的Crystal LED系列,均憑借Micro LED技術帶來了震撼的視覺體驗。國內廠商如雷曼光電 也推出了(le)163英寸(cun)8K Micro LED超(chao)高清家庭巨幕(mu)墻等產品,顯示(shi)(shi)了(le)Micro LED技(ji)術在提(ti)供(gong)超(chao)大顯示(shi)(shi)尺寸(cun)和極(ji)致分辨率方面(mian)的發展潛力。

    雷(lei)曼Micro LED超(chao)高清家(jia)庭(ting)巨(ju)幕(圖片來源:雷(lei)曼光電(dian))

      而在近期的(de)CITE、InfoComm和Touch Taiwan等重要展會上,眾多廠(chang)商紛(fen)紛(fen)展示Micro LED的(de)新產品與技術進(jin)展,反映出(chu)該技術在行(xing)業內的(de)發展趨勢和受(shou)到(dao)的(de)高(gao)度(du)關注。

       在超(chao)高(gao)顯示性能方面(mian),Micro LED芯片(pian)本身就(jiu)擁有高(gao)亮度(du)、高(gao)對比度(du)、廣色域等先(xian)天優勢,能夠呈現出極其細膩、色彩飽滿且逼真(zhen)的畫面(mian)細節。

      辰顯光電 于InfoComm展示的135英寸P0.7 TFT基Micro LED拼接屏,其峰(feng)值(zhi)亮度(du)高達1500nits,對(dui)比度(du)超過(guo)6000:1,像(xiang)素(su)密度(du)達164萬(wan)/㎡,色(se)域(yu)覆蓋(gai)DCI-P3 98%以上,這些參數(shu)體現了(le)Micro LED在(zai)顯(xian)示性(xing)能上具備(bei)一定的能力。

      辰顯光(guang)電新一代135英寸P0.7 TFT基 Micro-LED拼接屏(圖片來(lai)源:辰顯光(guang)電)

      希達電子 也在InfoComm上發布了(le)0.3mm像素間(jian)距Micro LED COB拼接顯(xian)示器,這款顯(xian)示器突破了(le)倒裝COB的工藝極(ji)限,率先(xian)達(da)到產品級水平。

      針對會議室場景, 在InfoComm上(shang)展出X系(xi)列智慧屏。該產品(pin)采用Micro LED技術,具備4K像素矩陣和UHD超高(gao)清分辨率,搭(da)載圖像處理算法,提(ti)供出色顯(xian)示效果。

      X系列智慧屏(圖片(pian)來(lai)源:艾(ai)比森)

      關(guan)于(yu)無限(xian)拼接擴展能力,Micro LED的模(mo)塊化設(she)計賦予了極大的靈活性(xing),可以根據需求自由組(zu)合,輕(qing)松打(da)破傳(chuan)統顯示技術在物理尺寸上的固有局限(xian)。

      群創光電 在Touch Taiwan展示了(le)(le)一款204英寸8K“色轉換(huan)Micro LED自(zi)由拼接顯(xian)示模(mo)塊(kuai)”墻,該(gai)產品采用AM驅動,呈現(xian)P0.5mm的像素間距(ju)。其搭(da)載了(le)(le)獨家AI軟硬件整合方案(an)、自(zi)主開發色轉換(huan)技(ji)術、COG巨量轉移及修復(fu)技(ji)術等(deng),可適(shi)配25.4至204英寸的顯(xian)示器。

      而在零拼縫(feng)設計方面(mian),Micro LED通(tong)過采用(yong)高精度的制造技術,可(ke)以實現無縫(feng)拼接(jie),從而消(xiao)除了(le)傳(chuan)統拼接(jie)屏(ping)幕中(zhong)常見的黑邊(bian)割(ge)裂感,提(ti)升了(le)整體(ti)(ti)視覺(jue)體(ti)(ti)驗的連(lian)貫(guan)。

      辰顯光電 在(zai)InfoComm展會上(shang)展示了全球最(zui)薄(bo)的TFT基Micro LED箱體,最(zui)薄(bo)處(chu)小于10毫米(mi),物(wu)理拼(pin)縫為“0”微米(mi)。此外(wai),在(zai)ICDT展會上(shang),辰顯(xian)光電與維信諾創(chuang)院聯(lian)合推出「幻境InviLux」,其拼(pin)縫處(chu)像素間距變異率小于10%,有效保證多屏拼(pin)接(jie)后的畫面連貫性。

      Micro LED技術還具備實現透明顯示效果的能力。根據TrendForce集邦咨詢《2025全球LED顯示屏市場展望與價格成本分析》(了解報告>) 顯示(shi),Micro LED透明(ming)相(xiang)當適合(he)應用于零售百貨空(kong)間、藝文空(kong)間(藝廊、博物館、海洋館)、餐旅業等場所,用于展(zhan)示(shi)產品(pin)和輔助介(jie)紹。

      而在車載顯示領域,雖然Micro LED技術尚未完全成熟,廠商仍在推動其透明屏應用的落地。友達 同旗下車用顯示子公司BHTC 在CES展上,展出基于Micro LED的智能座艙顯示方案,其中,“幻境全景天幕”將無縫拼接大型(xing)化(hua)的透(tou)明Micro LED顯示(shi)器融(rong)入至天(tian)窗,帶來沉(chen)浸式體驗,同時(shi),天(tian)窗與側窗可聯動(dong),并支持透(tou)明度調節(jie)。

      “幻境(jing)全景天幕”(圖片來源:友(you)達)

      友達光電的合作伙伴達輝國際 也在CITE上展(zhan)示新一代(dai)Micro LED透明顯(xian)(xian)示屏(ping),支持多片無(wu)縫拼(pin)接擴展(zhan),滿足超(chao)大屏(ping)顯(xian)(xian)示應用的需求。

     

    Micro LED巨量轉移仍是核心難點,但曙光已現

      盡管Micro LED在(zai)大屏顯示市場展現出廣(guang)闊前(qian)景并受到(dao)全行業的高度(du)關注,但其從(cong)實(shi)驗室走(zou)向(xiang)大規模產業化仍(reng)需跨越一系列技術(shu)與成(cheng)本(ben)障礙。其中,由(you)于Micro LED芯片尺寸極(ji)微(通常小于50微米)且需要在(zai)基板上實(shi)現極(ji)高密度(du)的精(jing)準集成(cheng),對核(he)心制(zhi)(zhi)造工(gong)藝——巨量轉(zhuan)移技術(shu)提出了(le)前(qian)所未有的挑戰(zhan),這也是目(mu)前(qian)制(zhi)(zhi)約Micro LED大規模應(ying)用的關鍵瓶頸之一。

      為(wei)了攻克(ke)巨(ju)量(liang)轉移這(zhe)一核心難題(ti),業(ye)界正從材料、設(she)備、工藝(yi)、架構等(deng)多個維度(du)積極探(tan)索和(he)創新,力求(qiu)實(shi)現技術(shu)突破并加速產業(ye)化進程。

      部分企業選擇聚焦于改進或創新巨量轉移工藝本身。例如, 發(fa)布的(de)(de)新一(yi)代黑鉆(Hi-Micro)技(ji)術(shu),采用(yong)了自主研(yan)發(fa)的(de)(de)激光巨量轉移(yi)工藝,此(ci)舉顯著提升(sheng)了轉移(yi)效(xiao)率與系統穩定性,可滿足高端顯示等復雜應用(yong)場景的(de)(de)需求。

      圖片來源:利亞德(de)

      京東方 則通過與國際知名(ming)裝備和材料(liao)公司開(kai)展合作(zuo),并規劃建設2.5代(dai)巨量(liang)(liang)轉移先導線(xian),持續推進(jin)巨量(liang)(liang)轉移技術的內部開(kai)發與驗證。

      此外,LED發光(guang)芯片的進一步微(wei)縮化(hua)是降低Micro LED成本和實現更(geng)高PPI(像(xiang)素密度(du))的有效途徑,這也(ye)直接影響到(dao)所需的巨量轉移技術路線(xian)和基(ji)板選(xuan)擇。

      針對(dui)P1.0以(yi)下微間距顯(xian)示,行業主(zhu)要探(tan)索的(de)(de)技(ji)(ji)術(shu)路(lu)線(xian)包括基(ji)于PCB基(ji)板的(de)(de)COB技(ji)(ji)術(shu)、玻璃基(ji)AM/PM驅動 COG技(ji)(ji)術(shu),以(yi)及MiP新(xin)型封(feng)裝(zhuang)路(lu)線(xian)。圍繞(rao)這些技(ji)(ji)術(shu)路(lu)線(xian)及不同的(de)(de)應用(yong)需求(qiu),多家企(qi)業正從封(feng)裝(zhuang)、基(ji)板或背板等層面進行技(ji)(ji)術(shu)攻關(guan),并(bing)解(jie)決相應的(de)(de)巨量轉移難題(ti)。

      封裝廠商如國星光電、鴻利智匯、瑞豐光電等正在發力。其中,國星光電 在基于AM驅(qu)動(dong)的模組集成方(fang)面取得進展,其(qi)自研的10英(ying)寸AM Micro LED全彩(cai)模組實現了巨量(liang)轉移技術突破(po),加速向4K/8K超高清商用領域拓展。

      在MiP封裝技術領域,利亞德 率先進行了(le)戰略(lve)布局。公司推出的(de)Hi-Micro產品采用了(le)無襯(chen)底的(de)Micro LED芯(xin)片,芯(xin)片短邊尺寸小于(yu)30μm,體現了(le)MiP技(ji)術的(de)最新進展。

       則同步布(bu)局MiP與COB兩大技術(shu)路線,依托垂直整合的(de)產業鏈資(zi)源,投資(zi)建設半導(dao)體級MiP封測產線,實現了MiP 0202燈珠的(de)量產,并推出了P0.4間距的(de)MiP顯(xian)示(shi)產品。

      雷曼光電 自2021年啟動(dong)MiP技術預研以來,至2024年Micro級(ji)MiP技術已趨(qu)于成熟并(bing)實現小批量試產,并(bing)推出了首款基(ji)于Micro級(ji)MiP器(qi)件(jian)的COB顯示(shi)產品。

      據悉,雷(lei)曼光電積極(ji)探索COB和玻璃基(ji)(ji)技術(shu)(shu),公(gong)司(si)先后掌握了(le)(le)COB正裝、倒裝等(deng)工(gong)藝,并(bing)聯合上游伙伴(ban)構建了(le)(le)PM驅(qu)動(dong)結構+玻璃基(ji)(ji)板(ban)方(fang)案,攻(gong)克(ke)了(le)(le)巨量(liang)通孔、厚銅(tong)等(deng)玻璃基(ji)(ji)板(ban)相關的關鍵(jian)技術(shu)(shu),解(jie)決了(le)(le)玻璃基(ji)(ji)板(ban)部分固有缺(que)陷,目(mu)前正建設中(zhong)試基(ji)(ji)地進(jin)行探索升(sheng)級。

      針對無邊框拼接等特定場景,深天馬 利用LTPS(低(di)溫多(duo)晶硅)工藝(yi)結合GOA in pixel設計,實(shi)現了P0.15mm的(de)超窄邊框背(bei)板(ban)。此類方案同樣(yang)對Micro LED芯片的(de)高精度巨量轉移至復(fu)雜LTPS背(bei)板(ban)提出(chu)了要(yao)求,深(shen)天(tian)馬通過雙面走線和Cu工藝(yi)等技術予(yu)以(yi)支持(chi)。

      除(chu)了工藝和基板/封裝創新,一些企業還從(cong)芯片(pian)架(jia)構、性能等或系統集(ji)成層(ceng)面尋(xun)求突破。

      群創光電 聯合美國Micro LED企業eLux ,采用色轉換技術取代傳統RGB芯片布局,此舉通過減少(shao)需轉移(yi)的芯片種類(lei)和數量,簡(jian)化了巨(ju)量轉移(yi)和后續維(wei)修(xiu)流程,同(tong)時提(ti)升了顯(xian)示均(jun)勻性,有助于(yu)降低(di)生產成本和提(ti)高良率。

      辰顯光 則(ze)聚焦于系統性的技術集成(cheng),已實現巨量轉移(yi)(yi)、驅動(dong)架構(gou)、無縫(feng)拼接及(ji)混bin等關鍵(jian)技術的攻克,自主開發出高速巨量轉移(yi)(yi)技術、玻璃基(ji)TFT混合驅動(dong)方案、TFT基(ji)雙(shuang)面LTPS-TFT背板工藝(yi)以及(ji)混合裝(zhuang)配技術等多(duo)項(xiang)創新成(cheng)果(guo)。

      在上游芯片端, 通(tong)過優化(hua)Micro LED芯片(pian)的光(guang)效(xiao)并提升(sheng)轉移良率,正(zheng)從源頭為下游(you)廠(chang)商的巨量轉移及最(zui)終應用(yong)奠定更為堅實的基礎。

      正(zheng)如(ru)這些企業(ye)所(suo)(suo)取得的成(cheng)果所(suo)(suo)示(shi),通過(guo)在巨量轉移工藝、芯片(pian)設計、材料創新(xin)、新(xin)型封(feng)裝以及(ji)系統集成(cheng)等多個維(wei)度持續開展(zhan)技術攻關及(ji)探索多元化(hua)路徑(jing),行業(ye)正(zheng)逐步(bu)突破巨量轉移這一核心(xin)瓶頸及(ji)其相關難題,為Micro LED實(shi)現規模化(hua)應用和產業(ye)化(hua)發展(zhan)奠定(ding)基(ji)礎。

     

     

    Micro LED產業化進程顯著加速

      當前(qian),Micro LED技(ji)術正(zheng)以前(qian)所未(wei)有的速度加速產業化進(jin)程,多家企業在新建產線(xian)、提升產能及拓展市場(chang)應用方面取得了重(zhong)要突(tu)破。值得關(guan)注的是,在大屏顯示(shi)方向,具備玻(bo)璃基板優(you)勢的面板廠商正(zheng)扮演著越(yue)來越(yue)關(guan)鍵的角色。

      在推動Micro LED產業化方面,一種主要的策略是,通過與上游芯片端進行深度綁定或垂直整合來構建產業優勢。京東方 通過戰略控(kong)股(gu)京(jing)東(dong)方華燦(can)光電(dian)并(bing)配套(tao)珠海晶芯下(xia)游模(mo)組(zu)項目,已建成京(jing)東(dong)方華燦(can)光電(dian)6英寸(cun)Micro LED量(liang)產線及珠海晶芯MLED模(mo)組(zu)線,這兩(liang)條產線分別于(yu)2025年(nian)3月實(shi)現(xian)量(liang)產和產品(pin)交付。

      京東方華燦(can)Micro LED工廠產品正式交付(圖片來源(yuan):京東方華燦(can))

      友達光電 則與持股的(de)富采控(kong)股(提供芯片)緊密合作,并(bing)正(zheng)建設(she)全球最高世代(dai)的(de)4.5代(dai)Micro LED生產(chan)線(xian),計劃于2025年(nian)投入量產(chan)。

      另一種是通過成立專門的實體(合資公司或分拆子公司)來集中資源,高效推動Micro LED技術研發和產業化。TCL華星三安光電 合資成立了芯穎顯示,專注于轉移鍵合等關鍵技術,其Micro LED中試線已于2024年10月建成,預計2025年小批量試產;維信諾 分拆成立了辰顯光電,專注于基于TFT玻璃基板的Micro LED技術,并于2024年12月成功點亮了中國大陸首條基于TFT基的Micro LED量產線;群創光電 成立(li)了(le)子(zi)公司(si)群超顯(xian)示科技(ji),專注(zhu)于(yu)Micro LED研發制造,正計劃先(xian)在3.5代(dai)LTPS產(chan)線上投(tou)產(chan)Micro LED產(chan)品。

      此外,還有廠商如深天馬 ,主(zhu)要(yao)依托自身在LTPS玻璃(li)基(ji)板(ban)等現(xian)有面板(ban)技術上的(de)(de)優勢,并建(jian)設相應的(de)(de)生(sheng)產線來加速應用(yong)開發,其投資11億元的(de)(de)G3.5代(dai)Micro LED生(sheng)產線已(yi)于(yu)2024年(nian)12月實現(xian)全制程的(de)(de)順利貫通,重點(dian)聚(ju)焦車載、PID等應用(yong)。

      除了面板廠商外,傳統的(de)LED封裝及應(ying)用(yong)企業(ye)也在(zai)積極推動(dong)Micro LED技術的(de)產(chan)業(ye)化,尤其在(zai)產(chan)能提升和(he)市場應(ying)用(yong)拓展(zhan)方面取得了顯(xian)著(zhu)進展(zhan)。

      利亞德 的(de)首期全(quan)制程(cheng)自研(yan)新一代高(gao)階(jie)(jie)MIP產線已(yi)于(yu)2024年(nian)11月(yue)(yue)20日(ri)在無(wu)錫利晶工廠正式(shi)投產。這條(tiao)產線專注(zhu)于(yu)生產使(shi)用小于(yu)50μm全(quan)倒(dao)裝無(wu)襯底Micro LED芯片的(de)高(gao)階(jie)(jie)MIP產品,首期產能達到(dao)1200KK/月(yue)(yue),規劃中的(de)二期將進一步(bu)擴(kuo)至2400KK/月(yue)(yue)。

       利亞德第一(yi)期(qi)全(quan)制程自研新一(yi)代高階MIP產線(圖片來(lai)源(yuan):利亞德)

      在市場(chang)應用層面,利亞德(de)的(de)Micro LED技術已進入大規(gui)模應用階段。據(ju)公(gong)司(si)今(jin)年(nian)3月在投資者(zhe)互(hu)動平臺透露,在大屏商顯(xian)領域,公(gong)司(si)的(de)Micro LED訂單已從零增長到10億(yi)元人(ren)民(min)幣,應用范圍也從中高(gao)端市場(chang)向更廣泛的(de)領域延伸。

      國星光電 近期(qi)在2024年(nian)(nian)年(nian)(nian)報中(zhong)披露,其(qi)吉利產(chan)業(ye)園(yuan)首(shou)批超(chao)高清Mini&Micro LED項目實(shi)現了(le)產(chan)能新增超(chao)過20%。這個(ge)總投資20億元的產(chan)業(ye)園(yuan)已于2024年(nian)(nian)投產(chan),重點生產(chan)RGB小間距、Mini/Micro LED、TOP/CHIP LED等產(chan)品,主要用于超(chao)高清及新型智能顯示。

     

    小結

      綜上所述(shu),面對(dui)大(da)屏顯(xian)示和超高清顯(xian)示日益增長的(de)需求,Micro LED技(ji)術(shu)憑借其(qi)卓越的(de)顯(xian)示性能、靈活的(de)拼(pin)接方式和無縫的(de)視(shi)覺(jue)體驗,正被(bei)廣泛視(shi)為下一代(dai)顯(xian)示技(ji)術(shu)的(de)重要(yao)發展(zhan)方向。盡管巨量轉移等核心技(ji)術(shu)與成(cheng)本(ben)挑戰依然存(cun)在,但正如本(ben)文所展(zhan)現(xian)的(de),產業(ye)鏈上下游企業(ye)正通過巨大(da)的(de)研(yan)發投入和積極的(de)產線建設,全(quan)力以赴加速技(ji)術(shu)的(de)成(cheng)熟與量產進(jin)程(cheng)。

      市場研(yan)究數據也(ye)印證了這一(yi)發展(zhan)(zhan)趨勢。根據TrendForce集邦咨詢最新研(yan)究,2024年(nian)Micro LED芯片產值(zhi)預估將達(da)2790萬美元左右(you),主要貢獻(xian)來源仍是大型顯(xian)示器(qi)。展(zhan)(zhan)望未來,預計Micro LED芯片產值(zhi)在2029年(nian)增長至7.4億美元,2024-2029年(nian)復合(he)增長率達(da)93%。

      這些(xie)數據不僅反(fan)映了市場(chang)對Micro LED技(ji)術(shu)的(de)(de)積極預期(qi),更(geng)勾勒出了其(qi)未來在大屏(ping)顯(xian)示(shi)等廣闊應用領域實(shi)現大規模普及的(de)(de)光明(ming)前景。隨著產(chan)業(ye)化進程的(de)(de)持(chi)續(xu)加速,Micro LED正一步步引(yin)領顯(xian)示(shi)技(ji)術(shu)邁向新的(de)(de)時代。

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