國內外5項最新Micro LED研究成果一覽

　　近日，多(duo)個海內(nei)外高校(xiao)科研團隊在Micro LED領域有最新研究成(cheng)(cheng)果，以(yi)提升(sheng)Micro LED性能，并(bing)降低其制(zhi)造成(cheng)(cheng)本(ben)。

　　湖南大學團隊聯合諾視、晶能等研發超高亮度Micro LED微顯示芯片

　　近日，湖南大(da)(da)學潘安練教授和(he)李東教授團隊聯合(he)諾視科技(ji)(ji)、晶(jing)能光電等合(he)作者，成功開(kai)發了包(bao)括大(da)(da)尺寸高(gao)質量硅基(ji)(ji)Micro LED外延片制(zhi)備工藝、非對準鍵合(he)集成技(ji)(ji)術和(he)原子級側壁鈍化技(ji)(ji)術的(de)IC級GaN基(ji)(ji)Micro LED晶(jing)圓制(zhi)造技(ji)(ji)術，在硅襯底GaN外延片上實現了目(mu)前公開(kai)報道最高(gao)亮度的(de)綠光Micro LED微顯模組。

　　圖(tu)片來源：Light:Science & Applications

　　相(xiang)關(guan)研究結(jie)果以“Ultra-highbrightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-siliconepilayers”為題在Light:Science & Applications上發表。

　　韓國科研團隊開發新技術，制造高效亞微米Micro LED

　　外媒報道(dao)，由(you)Young Rag Do教授(shou)領(ling)導的(de)韓國(guo)國(guo)民大(da)學研究團隊開(kai)發了(le)一種新型(xing)自上而下工藝，用于制造和隔(ge)離(li)亞微(wei)米氮(dan)化鎵Micro LED。這項(xiang)工藝結合了(le)電(dian)化學腐(fu)蝕(shi)和超聲波化學分離(li)技術刻蝕(shi)多孔層，以隔(ge)離(li)Micro LED。

　　圖(tu)片來源：韓國國民大學(xue)

　　研(yan)究人員使用這一工藝(yi)生產了鍍金(jin)的氮化鎵藍(lan)色LED，其外部(bu)量子效(xiao)率(EQE)為6.21%(在4.0 V電(dian)壓下)并且發(fa)光效(xiao)率為1070 cd/m^2(在10.0 V電(dian)壓下)。這些LED的直(zhi)徑為750納米。

　　此外(wai)，研究人員(yuan)進(jin)一步研究了影響點狀LED的納米孔尺寸、分離率和發(fa)射特(te)性的電化(hua)(hua)學變量，以(yi)及溶劑(ji)類(lei)型對利用(yong)聲化(hua)(hua)學工藝進(jin)行(xing)超(chao)聲波(bo)分離的影響。

　　這項(xiang)研究(jiu)展(zhan)示了通過自上而(er)下的工藝制造Micro LED的潛力(li)，這可能(neng)(neng)(neng)(neng)對提高Micro LED顯示器的性能(neng)(neng)(neng)(neng)和降低制造成本具有重要(yao)意義。通過優(you)化(hua)電化(hua)學(xue)和超聲波化(hua)學(xue)過程，研究(jiu)人員能(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)提高Micro LED的組(zu)裝產量和性能(neng)(neng)(neng)(neng)，為未來Micro LED顯示技(ji)術的發展(zhan)提供了新的方向。

　　韓國科研團隊利用垂直自組裝工藝，提升Micro LED性能

　　據(ju)報道(dao)，韓國國民大學(xue)與(yu)慶熙大學(xue)合(he)作，通過基于化學(xue)連接劑(ji)螯合(he)鍵的(de)流體自(zi)組裝(zhuang)方(fang)法(fa)，成功提升了Micro LED的(de)性能。研究(jiu)表明(ming)，與(yu)以往方(fang)法(fa)相比，組裝(zhuang)效(xiao)率提升了61.8%。研究(jiu)團隊垂直組裝(zhuang)的(de)1.3微米Micro LED在9V電壓下實現了8.1%的(de)峰值外量子效(xiao)率(EQE)和(he)22,300尼特(te)的(de)亮(liang)度。

　　據悉，研究人員開發了一(yi)種新的(de)方法，使用能夠(gou)與鋅金(jin)屬(shu)復合(he)物(wu)內(nei)進行金(jin)屬(shu)螯合(he)配位相互作用的(de)化(hua)學連接劑(ji)，實現Micro LED的(de)面(mian)選(xuan)擇性(xing)垂直組裝。

　　圖(tu)片來源：韓國國民大學

　　該新(xin)工藝分為三個步驟。首先，使用(yong)自(zi)(zi)組裝單分子層(SAM)方法(fa)，用(yong)甘(gan)氨酸-巰基(ji)(ji)(gly-thiol)處理Micro LED的(de)p-GaN表面(mian)和(he)底部的(de)Au層。第(di)二步，使用(yong)各(ge)種(zhong)鋅(xin)前(qian)體處理經過(guo)甘(gan)氨酸-巰基(ji)(ji)處理的(de)底部Au電(dian)極，以形成(cheng)金(jin)屬螯合配位(wei)鍵(jian)。最后，經過(guo)甘(gan)氨酸-巰基(ji)(ji)處理的(de)Micro LED通過(guo)螯合鍵(jian)實現垂直自(zi)(zi)組裝。

　　美國高校團隊開發高性能溶液處理晶體管，用于Micro LED顯示

　　據悉，近日，伊利諾伊大(da)學厄巴納-香檳分校的(de)研究人(ren)員開發了一種新(xin)工藝，用于為高(gao)性能Micro LED顯示器制(zhi)造晶體管(guan)。研究人(ren)員表示，這是(shi)迄(qi)今為止性能最高(gao)的(de)溶(rong)液處理的(de)半導(dao)體晶體管(guan)，并(bing)且(qie)成本更(geng)低。

　　圖片來源：伊(yi)利諾伊(yi)大學

　　這種新(xin)工藝(yi)基(ji)于有序缺陷化合(he)物半導體CuIn5Se8，通過(guo)溶(rong)液(ye)沉積法制備。這些晶體管被(bei)用(yong)來形成兆赫茲頻率下運行的高(gao)速(su)邏輯電路，為小型(xing)508 PPI藍光Micro LED顯(xian)示器(qi)供電。

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　　美國與波蘭研究團隊開發全球首款晶體管與LED雙電子芯片

 　　據悉，康奈爾(er)大(da)學(xue)與(yu)波(bo)蘭科學(xue)院的(de)(de)研究人員合(he)作，開發了世界上第一塊結合(he)了LED和(he)晶體管(guan)的(de)(de)芯片。這(zhe)種雙(shuang)電子芯片可(ke)能會為實現更(geng)小(xiao)、成(cheng)本更(geng)低、效率更(geng)高(gao)的(de)(de)LED提供新思路。

　　圖片來源：康奈(nai)爾(er)大學(xue)

　　具體(ti)來看，研究人(ren)員(yuan)構(gou)建了(le)氮化(hua)鎵器件，使其(qi)一側具有高電子遷移率(lv)晶體(ti)管(HEMT)，另一側具有LED。研究人(ren)員(yuan)利用了(le)氮化(hua)鎵的(de)(de)(de)在晶軸上具有較(jiao)大的(de)(de)(de)電子極(ji)化(hua)的(de)(de)(de)獨特屬性，使其(qi)每(mei)個表面具有不同的(de)(de)(de)物理和(he)化(hua)學屬性。鎵側適用于光子器件，而氮側適用于晶體(ti)管器件。

　　研究人員首先在單晶(jing)圓片上生長透(tou)明的氮化鎵基板(400微米厚)，之后(hou)使(shi)用(yong)分子束外延(MBE)技術(shu)，生長了HEMT和LED異質結構。這個器件被(bei)運送到康奈(nai)爾大學，康奈(nai)爾大學繼續在氮極面(mian)上構建(jian)和處理HEMT。最后(hou)一(yi)步是在金屬極面(mian)上創建(jian)LED，使(shi)用(yong)厚的正光敏抗蝕劑(ji)涂層來(lai)保護先前處理過的n極面(mian)。