芯映光電、高科視像等4企公布Micro LED專利

　　據企查查近期消(xiao)息(xi)，芯(xin)映(ying)光(guang)電(dian)、高像、高科華燁、芯(xin)聚半導體等陸續(xu)公示(shi)Micro LED專利(li)，涉及MiP、巨量轉移等方面。

　　▋ 湖北芯映光電有限公司：一種LED基板及顯示模組

　　近期，湖北芯映光電有限公司 公布“一種LED基板及顯示模組 ”相關(guan)專利(li)(li)進(jin)入(ru)授權階段。該專利(li)(li)詳情如下：

　　本申請涉及一種LED基板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)及顯(xian)示模組，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)LED基板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)包括：玻(bo)(bo)璃(li)(li)(li)(li)載(zai)(zai)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)玻(bo)(bo)璃(li)(li)(li)(li)載(zai)(zai)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的第一板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)面(mian)(mian)設(she)置有導電線(xian)路(lu)(lu);HDI線(xian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)HDI線(xian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)固設(she)于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)玻(bo)(bo)璃(li)(li)(li)(li)載(zai)(zai)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的第二板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)面(mian)(mian)，且所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)HDI線(xian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)玻(bo)(bo)璃(li)(li)(li)(li)載(zai)(zai)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)上的導電線(xian)路(lu)(lu)電連(lian)接，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)面(mian)(mian)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)面(mian)(mian)分別位于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)玻(bo)(bo)璃(li)(li)(li)(li)載(zai)(zai)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的相(xiang)對兩側。

　　本申請(qing)通過在HDI線路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)上設置玻璃(li)載(zai)板(ban)(ban)(ban)，并將(jiang)導電線路(lu)(lu)設置在玻璃(li)載(zai)板(ban)(ban)(ban)上，玻璃(li)載(zai)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)表面(mian)精(jing)度和平(ping)整(zheng)度遠(yuan)遠(yuan)大于HDI線路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)表面(mian)精(jing)度和平(ping)整(zheng)度，有利(li)于芯(xin)片的(de)(de)固定(ding)安放，能夠(gou)應用于Micro LED顯示，解(jie)決了相關技(ji)術中HDI多層線路(lu)(lu)板(ban)(ban)(ban)制(zhi)作的(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)(ban)在Micro LED顯示方面(mian)難以(yi)應用的(de)(de)技(ji)術問題。

　　▋山西高科華燁電子集團有限公司：一種MicroMIP器件制成方法

　　近期，山西高科華燁電子集團有限公司 公布“一種MicroMIP器件制成方法” 相關專(zhuan)利進入審中公布階段。該專(zhuan)利詳情(qing)如下：

　　本發明公開(kai)了一(yi)種Micro MIP器件制成方法(fa)，該方法(fa)包括以下步驟：S1.將含有(you)LED芯片的COW與臨時載板(ban)鍵(jian)合并(bing)進(jin)行激光剝(bo)離;S2.進(jin)行三(san)色芯片的巨量(liang)(liang)轉移(yi)，將三(san)色芯片按照矩陣(zhen)排(pai)列(lie)(lie)轉移(yi)到同一(yi)載板(ban)上;S3.準(zhun)備一(yi)塊鋼化(hua)玻(bo)(bo)璃(li)，并(bing)在其單面進(jin)行膠(jiao)水涂布;S4.在鋼化(hua)玻(bo)(bo)璃(li)表面按照矩陣(zhen)排(pai)列(lie)(lie)進(jin)行金屬走線(xian)和金屬焊盤的沉積;S5.通(tong)過(guo)巨量(liang)(liang)焊接(jie)技(ji)術將芯片載板(ban)與已制備線(xian)路的鋼化(hua)玻(bo)(bo)璃(li)焊接(jie);S6.通(tong)過(guo)激光剝(bo)離技(ji)術剝(bo)離芯片的載板(ban);S7.對(dui)鋼化(hua)玻(bo)(bo)璃(li)上的結(jie)構進(jin)行封裝;S8.通(tong)過(guo)隱切(qie)方式對(dui)Micro MIP器件進(jin)行切(qie)割。

　　通過本發明的制成技術，可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器(qi)件，解決Micro MIP制(zhi)成(cheng)周(zhou)期長、難以實現量(liang)產全自動的問題。本(ben)發明(ming)的制(zhi)成(cheng)方法簡單(dan)高效。

　　▋山西高科視像科技有限公司：一種新型MicroLED巨量轉移系統及方法

　　近期，山西高科視像科技有限公司 公布“一種新型MicroLED巨量轉移系統及方法” 相關(guan)專利進入審中公布階段。該專利詳情如下：

　　本發明提(ti)供了一(yi)種新型(xing)Micro LED巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)系(xi)統及方法(fa)，屬(shu)于Micro LED巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)技術領域(yu);解決了普通(tong)(tong)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)方法(fa)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)良率降低、檢(jian)測(ce)修(xiu)復困(kun)難的(de)問題;包括集巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)、巨(ju)量(liang)檢(jian)測(ce)和巨(ju)量(liang)修(xiu)復于一(yi)體的(de)巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)系(xi)統;巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)是利用轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)頭(tou)通(tong)(tong)過(guo)真空(kong)(kong)將芯片吸起(qi)，巨(ju)量(liang)檢(jian)測(ce)是利用梯形(xing)保護罩兩側(ce)的(de)光電檢(jian)測(ce)裝置測(ce)得Micro LED芯片的(de)工作電壓、亮度和發光波長等參數與預設值做比對，巨(ju)量(liang)修(xiu)復是利用巨(ju)量(liang)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)移(yi)(yi)頭(tou)通(tong)(tong)過(guo)信息端(duan)反饋的(de)數據，控制端(duan)控制吸嘴的(de)開關，實現目標(biao)基板(ban)上芯片空(kong)(kong)缺位置的(de)點對點補位。

　　本(ben)(ben)發(fa)明(ming)旨在(zai)優化(hua)Micro LED集成(cheng)封(feng)裝技術，并且通(tong)過新型的(de)技術提升了巨量(liang)轉移良率，降低修復成(cheng)本(ben)(ben)，提高顯(xian)示模組的(de)色彩均勻度。

　　▋ 蘇州芯聚半導體有限公司：Micro-LED芯片及其制備方法

　　近期，芯聚半導體 公布“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關專利進入審(shen)中公(gong)布階段。該專利詳情如下：

　　本發(fa)明揭示了一(yi)種MicroLED芯片及(ji)其(qi)制(zhi)備方(fang)法，MicroLED芯片包括(kuo)沿出(chu)光(guang)方(fang)向依(yi)次堆疊設置的第(di)一(yi)發(fa)光(guang)層(ceng)(ceng)、第(di)二發(fa)光(guang)層(ceng)(ceng)、第(di)三發(fa)光(guang)層(ceng)(ceng)和基板、以及(ji)粘結各層(ceng)(ceng)的粘結層(ceng)(ceng)，粘結層(ceng)(ceng)包括(kuo)多個透光(guang)孔，透光(guang)孔與發(fa)光(guang)層(ceng)(ceng)的發(fa)光(guang)單元芯片的出(chu)光(guang)方(fang)向對齊(qi)。

　　該垂(chui)直堆疊式的(de)(de)(de)MicroLED芯片通過(guo)透(tou)光(guang)孔的(de)(de)(de)設計減少了(le)光(guang)線穿過(guo)有(you)機物(wu)的(de)(de)(de)面(mian)(mian)積(ji)，避免了(le)因有(you)機物(wu)材料(liao)的(de)(de)(de)不(bu)穩定性造成的(de)(de)(de)透(tou)光(guang)率不(bu)確定、以(yi)及有(you)機物(wu)材料(liao)引發的(de)(de)(de)光(guang)顏(yan)色(se)變(bian)化的(de)(de)(de)問題(ti)，從(cong)而(er)一(yi)方面(mian)(mian)顯(xian)著提高了(le)光(guang)傳(chuan)輸效(xiao)率和LED芯片的(de)(de)(de)發光(guang)效(xiao)率，減少了(le)光(guang)損耗，另一(yi)方面(mian)(mian)提高了(le)混光(guang)效(xiao)果(guo)，保持(chi)了(le)整個面(mian)(mian)板顯(xian)示(shi)顏(yan)色(se)的(de)(de)(de)一(yi)致性。所以(yi)，該MicroLED在尺寸更小的(de)(de)(de)同(tong)時(shi)顯(xian)著提升了(le)顯(xian)示(shi)效(xiao)果(guo)，增(zeng)強了(le)顯(xian)示(shi)亮度和色(se)彩純度，具(ju)有(you)很(hen)高的(de)(de)(de)實用(yong)價值和市(shi)場前景。