Micro-LED 巨量轉移技術的難點與突破全解析（二）

　　1. 為什么巨量轉移的檢測是關鍵步驟？

　　巨(ju)量轉移(yi)檢(jian)測是確保屏體質量的關鍵步驟，旨在(zai)(zai)識別并精確定(ding)位制程(cheng)中的壞點(dian)(dian)，然后將這些坐標輸出(chu)給(gei)修復(fu)工藝，以(yi)提高屏體的點(dian)(dian)亮良率和(he)(he)畫質。目前(qian)，檢(jian)測方(fang)式(shi)主要包括外觀檢(jian)測、光學(xue)檢(jian)測和(he)(he)電(dian)學(xue)檢(jian)測，分別在(zai)(zai)Wafer端(duan)(duan)、制程(cheng)端(duan)(duan)和(he)(he)屏體端(duan)(duan)進行，以(yi)實(shi)現對(dui)過(guo)(guo)程(cheng)不(bu)良的精準檢(jian)測。此外，為了(le)應(ying)對(dui)Micro-LED芯片光學(xue)均一性不(bu)足的問題，辰顯光電(dian)采用了(le)混(hun)bin技(ji)術(shu)，通過(guo)(guo)光學(xue)和(he)(he)電(dian)學(xue)檢(jian)測對(dui)Micro-LED來料進行精確分類，從而提升顯示效果(guo)。

　　2. 目前行業在巨量轉移檢測中面臨哪些主要挑戰？

　　隨(sui)著Micro-LED芯(xin)片的(de)微(wei)縮化，傳統(tong)檢(jian)(jian)測方(fang)案和設備難以(yi)滿(man)足需(xu)求。首先，電(dian)學檢(jian)(jian)測面臨(lin)的(de)挑戰在于(yu)(yu)每個顯示器需(xu)檢(jian)(jian)測的(de)LED數(shu)量達到(dao)數(shu)十萬(wan)乃至(zhi)上千萬(wan)顆，受限于(yu)(yu)Micro-LED 芯(xin)片一(yi)(yi)般(ban)小于(yu)(yu)50μm，現有檢(jian)(jian)測效率(lv)還處在1～2秒的(de)階段，還無法滿(man)足 LED全(quan)檢(jian)(jian)要求。其(qi)次，檢(jian)(jian)測精度要求極(ji)高，Micro-LED制程中對于(yu)(yu)精度的(de)要求一(yi)(yi)般(ban)在2μm以(yi)內，高PPI產品甚至(zhi)需(xu)要1μm以(yi)內的(de)精度。這對于(yu)(yu) Micro-LED 芯(xin)片從晶圓到(dao)中間臨(lin)時基(ji)板再到(dao)背板的(de)各個環節的(de)精度檢(jian)(jian)測提(ti)出了極(ji)高要求，必須結合智能算法和高精度數(shu)據采集硬件才能達成。

　　3. 辰顯光電如何構建高效的巨量轉移檢測流程？

　　辰(chen)顯光(guang)(guang)(guang)電在巨量(liang)轉(zhuan)移工藝中(zhong)(zhong)布置了多(duo)個檢測(ce)(ce)站點(dian)，以提高(gao)一(yi)次轉(zhuan)移良率和(he)(he)精準修復(fu)(fu)能(neng)力(li)。首先，Micro-LED Wafer來(lai)料時會進行(xing)外觀(guan)(AOI)、光(guang)(guang)(guang)學(xue)(PL)和(he)(he)電學(xue)(EL)檢測(ce)(ce)，確保 Micro-LED 的來(lai)料良率和(he)(he)光(guang)(guang)(guang)電信息，集中(zhong)(zhong)修復(fu)(fu)不良點(dian)位。在轉(zhuan)移制程(cheng)中(zhong)(zhong)，通(tong)過AOI檢測(ce)(ce)確定制程(cheng)中(zhong)(zhong)的不良因素，如缺失、偏(pian)位等，進行(xing)及時修復(fu)(fu)。最后(hou)，針對鍵合后(hou)的屏(ping)體(ti)進行(xing)CT檢測(ce)(ce)，檢查屏(ping)體(ti)光(guang)(guang)(guang)學(xue)品質(zhi)，包括(kuo)亮暗點(dian)、異常(chang)顯示、亮度和(he)(he)波(bo)長一(yi)致(zhi)性(xing)等，并(bing)將檢測(ce)(ce)出(chu)的壞點(dian)坐標輸出(chu)給下一(yi)站點(dian)修復(fu)(fu)。最終通(tong)過層層檢測(ce)(ce)和(he)(he)修復(fu)(fu)，辰(chen)顯光(guang)(guang)(guang)電能(neng)夠生產出(chu)高(gao)畫(hua)質(zhi)、零(ling)暗點(dian)的屏(ping)體(ti)。

　　4. 辰顯光電采用了哪些國內首臺設備或技術進行檢測？

　　辰(chen)顯光(guang)電十分重視與(yu)國內(nei)設(she)(she)備(bei)廠商密切合(he)作(zuo)，在Micro-LED產(chan)業(ye)化初期即引(yin)入了多(duo)項國內(nei)先進技(ji)術和設(she)(she)備(bei)，特別(bie)是在檢測(ce)方(fang)面，涵蓋了AOI、PL、CT等關鍵檢測(ce)環(huan)節，確保檢測(ce)流程(cheng)的高(gao)效性和準確性。由(you)于Micro-LED是新興技(ji)術，隨著(zhu)對(dui)技(ji)術和工藝要求的不(bu)斷提升，辰(chen)顯光(guang)電與(yu)設(she)(she)備(bei)廠商共(gong)同推(tui)進設(she)(she)備(bei)與(yu)技(ji)術的迭代，合(he)作(zuo)開發(fa)出了多(duo)個國內(nei)首臺套(tao)設(she)(she)備(bei)，進一步推(tui)動了Micro-LED產(chan)業(ye)化進程(cheng)。