Micro-LED技術揭秘之一：芯片制造的挑戰與突破

　　Micro-LED究竟是什(shen)么呢?本(ben)文將聚焦于(yu)Micro-LED的芯片制造(zao)，為您揭曉這一(yi)創(chuang)新技術！

Micro-LED技術概述

　　Micro-LED，即微型發光二極管，是一種新型的顯示技術，它利用微小的LED作為顯示單元。與傳統的液晶顯示器和(he)OLED顯示(shi)器(qi)不同，Micro-LED顯示(shi)器(qi)由數百萬個微小的LED組成，每個LED都可以獨立發光，具有高(gao)亮度(du)、高(gao)對比度(du)、高(gao)色(se)彩(cai)飽和(he)度(du)和(he)快速響(xiang)應時間的優勢。

芯片制造的挑戰與技術要點

　　Micro-LED芯片制造(zao)的挑戰主要集中(zhong)在以下幾個方面：

　　1.芯片良率的挑戰

　　隨著(zhu)Micro-LED芯(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)微(wei)縮化(hua)，半(ban)導體制(zhi)(zhi)造工藝的(de)(de)復雜度顯著(zhu)增加，從而使(shi)得(de)單站制(zhi)(zhi)程(cheng)的(de)(de)良品(pin)(pin)(pin)率(Yield)成為衡量(liang)生(sheng)產效率和(he)產品(pin)(pin)(pin)質量(liang)的(de)(de)關鍵指標。盡管目前良品(pin)(pin)(pin)率控制(zhi)(zhi)主(zhu)要針對單個晶圓(Wafer)進行(xing)，且(qie)最高(gao)良品(pin)(pin)(pin)率可(ke)達99.9%，但這種(zhong)單一指標并不足以全面反映芯(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)實際品(pin)(pin)(pin)質和(he)可(ke)靠性。

　　2.發光效率的挑戰

　　隨著尺寸(cun)的減(jian)小(xiao)(xiao)，Micro-LED在高(gao)電流(liu)密度下發(fa)光效(xiao)率急(ji)劇降低。研究表明與芯(xin)片(pian)幾何結構中(zhong)的微小(xiao)(xiao)“側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)”缺陷有關(guan)，對于Micro-LED來(lai)說，即使是微小(xiao)(xiao)的2μm側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)缺陷也可能導致破壞性的影(ying)響，因此如(ru)何減(jian)小(xiao)(xiao)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)損傷或對側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)進行(xing)有效(xiao)修復，對Micro-LED芯(xin)片(pian)的加工工藝提出了(le)新的挑戰(zhan)。

　　3.分光分色的挑戰

　　為了保證(zheng)亮度和(he)色(se)度的(de)(de)一致性，LED產品需要進行(xing)分(fen)光分(fen)色(se)。Micro-LED芯片微縮(suo)后，傳統的(de)(de)測量(liang)設備不再適(shi)(shi)用，對(dui)Micro-LED芯片的(de)(de)分(fen)光分(fen)色(se)提出(chu)了新的(de)(de)挑戰。這要求開發新的(de)(de)測量(liang)技術和(he)方(fang)法，以適(shi)(shi)應Micro-LED的(de)(de)微縮(suo)化特(te)性。

　　Micro-LED芯片的(de)微縮化(hua)為制造(zao)工(gong)藝(yi)(yi)帶來(lai)(lai)了(le)一(yi)系(xi)列挑戰，從(cong)芯片良率的(de)工(gong)藝(yi)(yi)難點(dian)，到發光效(xiao)率和(he)分光分色的(de)難題，每一(yi)個(ge)環節(jie)都需要技術(shu)創新和(he)精細(xi)的(de)工(gong)藝(yi)(yi)控制。盡管面臨諸(zhu)多挑戰，但隨著技術(shu)的(de)不斷發展和(he)突破，Micro-LED顯示(shi)技術(shu)有望在未來(lai)(lai)的(de)顯示(shi)領域大放異彩。在接下來(lai)(lai)的(de)系(xi)列文章中，我們將(jiang)繼續深入探討Micro-LED的(de)其他核心主(zhu)題，敬(jing)請(qing)期待(dai)。