微觀世界的大遷徙：巨量轉移技術引領Micro-LED革命

　　隨著(zhu)(zhu)顯(xian)示技術(shu)(shu)的日新(xin)月異(yi)，Micro-LED技術(shu)(shu)憑借(jie)其(qi)(qi)出類拔(ba)萃的高分辨(bian)率、高亮度和低(di)功耗特性(xing)，正逐漸嶄露頭(tou)角，成(cheng)為未來顯(xian)示領域中的一顆耀眼(yan)新(xin)星。然(ran)而，在Micro-LED技術(shu)(shu)朝(chao)著(zhu)(zhu)大規模(mo)產(chan)業化邁(mai)進的征途中，依舊面臨(lin)著(zhu)(zhu)諸(zhu)多挑(tiao)戰與障礙，其(qi)(qi)中，巨量轉移技術(shu)(shu)更是其(qi)(qi)前進道路上的重要瓶頸之一，亟待突破。

　　為(wei)了深入了解Micro-LED巨量轉(zhuan)(zhuan)移技術的(de)(de)現狀與(yu)未來(lai)發(fa)展方(fang)向，我們采訪(fang)了成都(dou)辰(chen)顯光電有限(xian)公司Micro-LED巨量轉(zhuan)(zhuan)移技術專(zhuan)家(jia)董小(xiao)彪博士。通過與(yu)他的(de)(de)交流，我們不僅了解了這項(xiang)技術的(de)(de)關鍵環(huan)節和(he)難點(dian)，也(ye)對未來(lai)的(de)(de)發(fa)展趨勢有了更清晰的(de)(de)認識(shi)。

巨量轉移技術： Micro-LED量產的“攔路虎”

　　巨量轉移(yi)技術(shu)是一種(zhong)專門用于Micro-LED顯示(shi)技術(shu)中的關(guan)鍵步驟，旨在(zai)(zai)將大量微小的LED芯(xin)片從生長基板(ban)高(gao)效、精確(que)地轉移(yi)到目(mu)標驅動基板(ban)上，以構(gou)建高(gao)密(mi)度、高(gao)質量的顯示(shi)陣列。這一過(guo)程涉及到數十萬乃至上千萬顆(ke)LED芯(xin)片的轉移(yi)，由于Micro-LED的尺寸(cun)遠小于常規LED，因(yin)此其轉移(yi)過(guo)程具有極高(gao)的挑戰性，尤其是在(zai)(zai)數量、速度、精度、良(liang)率、穩定(ding)性和成本方面。因(yin)此，巨量轉移(yi)技術(shu)成為了Micro-LED技術(shu)實現(xian)大規模產業化(hua)的關(guan)鍵所在(zai)(zai)。

　　董小彪博士解釋道：“Micro-LED幕包括(kuo)可以(yi)發光(guang)的LED芯片以(yi)及(ji)控制LED發光(guang)的背板(ban)，Micro-LED器件(jian)是在藍寶(bao)石(shi)或砷(shen)化鎵等襯底上通過(guo)外(wai)延(yan)生長和(he)微納(na)加工(gong)技(ji)術制備，并(bing)由巨(ju)(ju)量轉移工(gong)藝集(ji)成到驅動背板(ban)。” 由于一(yi)(yi)個顯示屏(ping)通常需(xu)要轉移數十萬乃(nai)至(zhi)上千萬顆LED芯片，對(dui)巨(ju)(ju)量轉移的精度、效(xiao)率(lv)、穩定(ding)性等要求極(ji)高，因此成為(wei)實現大(da)規模(mo)產業化的關(guan)鍵之一(yi)(yi)。

技術突破： 挑戰與機遇并存

　　目(mu)前，業內主流開發的技術包括(kuo)大尺(chi)寸印章轉移(yi)和激光(guang)類轉移(yi)，以提升(sheng)轉移(yi)效率(lv)。而(er)巨量轉移(yi)的技術難點主要包括(kuo)高(gao)效率(lv)轉移(yi)、高(gao)可靠(kao)性鍵合、快速檢測和修復(fu)。

　　轉移效率

　　是指單位時間Micro-LED器件與背板集成的效(xiao)率，直(zhi)接影響制造屏體的設備投入和成本。

　　高可靠性鍵合

　　是指Micro-LED器(qi)件與(yu)背(bei)板(ban)結(jie)合的強度(du)需(xu)要滿足產(chan)(chan)品(pin)的需(xu)求，避免產(chan)(chan)品(pin)使用過程中的新增壞點問題。通(tong)(tong)常(chang)，通(tong)(tong)過LED器(qi)件上的電極(ji)與(yu)背(bei)板(ban)上對應電極(ji)形成互溶，并通(tong)(tong)過獨立封裝來提升鍵合強度(du)。

　　高效率檢測和修復

　　是指快速、準確(que)地定位(wei)到屏體上壞點位(wei)置，然(ran)后通過對(dui)壞點進(jin)行替換，實(shi)現屏體的100%點亮。

　　以(yi)辰(chen)顯公(gong)司為例，其(qi)轉(zhuan)移速度已達到1000萬(wan)顆/小時，并(bing)在(zai)不斷尋(xun)求技術突破，以(yi)應對(dui)日(ri)益增長的(de)市場需求。辰(chen)顯光電通過與(yu)國(guo)內領先的(de)設(she)(she)備和材料(liao)廠商合作，成(cheng)功實現了多(duo)款核心設(she)(she)備和材料(liao)的(de)國(guo)產(chan)化導入(ru)。這不僅降低了生產(chan)成(cheng)本，也(ye)提高了技術的(de)自(zi)主可(ke)控(kong)性。未來，辰(chen)顯將繼續在(zai)巨量轉(zhuan)移技術上進行(xing)深入(ru)研發，推動(dong)Micro-LED技術的(de)進一步(bu)發展。

　　技術挑戰與轉移良率

　　為(wei)了降低成(cheng)本，Micro-LED芯片的(de)(de)尺寸會(hui)越(yue)來(lai)越(yue)小，轉移(yi)過程中的(de)(de)對位精(jing)(jing)度(du)(du)要求也會(hui)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)，未來(lai)需(xu)要做到±0.5μm以內。這需(xu)要Micro-LED能(neng)夠(gou)準確(que)被臨時基板(ban)(ban)承(cheng)接，轉移(yi)基板(ban)(ban)的(de)(de)加工(gong)精(jing)(jing)度(du)(du)和平整度(du)(du)必須(xu)達到一定(ding)參(can)數(shu)才能(neng)實現(xian)高(gao)良(liang)(liang)率(lv)轉移(yi)。通過控制工(gong)藝參(can)數(shu)提升基板(ban)(ban)的(de)(de)加工(gong)精(jing)(jing)度(du)(du)，從而實現(xian)高(gao)良(liang)(liang)率(lv)轉移(yi)。

　　辰顯光電從99.99%的(de)轉(zhuan)移良率(lv)提高(gao)(gao)到99.995%僅(jin)用了(le)3個月時間。通過提升各單元工藝的(de)工程(cheng)能力、轉(zhuan)移基板制備過程(cheng)中的(de)點缺陷檢出(chu)和修復能力，最終實(shi)現了(le)穩定的(de)高(gao)(gao)良率(lv)轉(zhuan)移。

　　在(zai)這一過程(cheng)中(zhong)，辰顯團隊展現(xian)了卓越的(de)(de)執行力(li)(li)和團隊合(he)作(zuo)精神，充分展現(xian)辰顯人使(shi)命必達的(de)(de)企業文化。董小(xiao)(xiao)彪(biao)博(bo)士(shi)回憶道：“2021年設(she)備剛(gang)搬(ban)入(ru)進行調試時(shi)(shi)，公(gong)司有(you)一個(ge)(ge)(ge)關鍵的(de)(de)目標節(jie)(jie)(jie)點。當(dang)時(shi)(shi)由于設(she)備搬(ban)入(ru)和調試時(shi)(shi)間比預期晚了近一個(ge)(ge)(ge)月，節(jie)(jie)(jie)點前(qian)一天的(de)(de)點亮(liang)效果仍未達標。當(dang)時(shi)(shi)負責人笑著對有(you)些疲憊的(de)(de)伙(huo)伴說：’路雖崎嶇，志猶堅(jian)矣。百折不(bu)撓，誓不(bu)輟行。我們絕不(bu)能在(zai)最(zui)終關頭(tou)放棄。’于是他們帶(dai)著關鍵技術人員(yuan)進入(ru)產線(xian)繼續奮(fen)戰(zhan)。機會總是留給有(you)準備的(de)(de)人，當(dang)晚7點經(jing)過連續2個(ge)(ge)(ge)月的(de)(de)不(bu)間斷努力(li)(li)，終于在(zai)節(jie)(jie)(jie)點前(qian)5個(ge)(ge)(ge)小(xiao)(xiao)時(shi)(shi)順利完(wan)成了任務。”

技術趨勢： 追求效率與成本的雙重優化

　　隨著Micro-LED技術的不斷發(fa)(fa)展，巨量轉移(yi)技術也在不斷進步。未(wei)來，兼顧轉移(yi)效(xiao)(xiao)率(lv)和(he)精度的技術將(jiang)成為(wei)研發(fa)(fa)的重(zhong)(zhong)點。同時(shi)，高效(xiao)(xiao)率(lv)的混bin技術也將(jiang)成為(wei)提升顯示畫質的重(zhong)(zhong)要方(fang)向。

　　巨量轉(zhuan)移技術(shu)的(de)發展對Micro-LED顯(xian)示(shi)(shi)技術(shu)的(de)商業化(hua)進程具有深(shen)遠影響。通過提高(gao)轉(zhuan)移效率和良(liang)率，降低生產成本，Micro-LED技術(shu)將(jiang)更具市場競(jing)爭(zheng)力。此(ci)外，巨量轉(zhuan)移技術(shu)還將(jiang)在(zai)顯(xian)示(shi)(shi)的(de)互動方面發揮重要(yao)作用，為未來(lai)的(de)顯(xian)示(shi)(shi)技術(shu)帶來(lai)更多可能性。

　　董博士還指出，從(cong)(cong)降低成本的(de)角度(du)看，未來(lai)Micro-LED顯示使用(yong)的(de)LED尺寸會越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小，單次(ci)轉(zhuan)移的(de)屏體(ti)面積會越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)大(da)，因(yin)此兼(jian)顧轉(zhuan)移效(xiao)率(lv)和(he)精(jing)度(du)的(de)技術(shu)會成為未來(lai)開發(fa)的(de)重(zhong)點，如(ru)印章轉(zhuan)移和(he)激光轉(zhuan)移相結(jie)合的(de)工藝路線(xian)。從(cong)(cong)提升顯示畫質的(de)角度(du)，高效(xiao)率(lv)的(de)混bin技術(shu)將成為未來(lai)開發(fa)的(de)方向之一。

展望未來： Micro-LED顯示技術的無限可能

　　Micro-LED技(ji)術(shu)憑借其(qi)獨特的(de)優勢，將在(zai)未(wei)來的(de)顯(xian)示領域發(fa)揮重要(yao)作用。隨(sui)著巨量轉移技(ji)術(shu)的(de)不斷進步和成本(ben)的(de)降(jiang)低，Micro-LED顯(xian)示技(ji)術(shu)將逐漸走向(xiang)成熟和普及。我(wo)們有理由相(xiang)信，在(zai)不久的(de)將來，Micro-LED將為我(wo)們帶來更加豐富(fu)多彩的(de)視(shi)覺體驗。

　　Micro-LED顯(xian)示被市場接受主要體現在差異化應用(yong)、功(gong)能(neng)性(xing)優勢(shi)和(he)(he)成(cheng)本競爭力上。巨量(liang)轉(zhuan)移技術的開發進(jin)度(du)直接影響(xiang)Micro-LED顯(xian)示屏體的制造成(cheng)本和(he)(he)顯(xian)示質量(liang)。未來(lai)，巨量(liang)轉(zhuan)移不僅可以集(ji)成(cheng)Micro-LED發光(guang)器件，還(huan)可以在顯(xian)示的互(hu)動方(fang)(fang)面發揮重要作用(yong)。未來(lai)降(jiang)本的方(fang)(fang)向主要包括關鍵物料、轉(zhuan)移效率和(he)(he)轉(zhuan)移良率三個維度(du)。