國內外高校兩項Micro LED研究進展一覽

　　近日，國內外高校相繼在Micro LED 研究上又(you)有新進展。

　　01 香港科技(ji)大學研發全彩Micro LED制作新技(ji)術(shu)

　　香港科技大學 (HKUST ) 的研(yan)究團隊展示(shi)了一種(zhong)新(xin)技(ji)術，可利用InGaN和AlGaInP半(ban)導(dao)體材(cai)料的異質集成實現全彩(cai)Micro LED顯示(shi)器。

　　據悉(xi)，研究團隊(dui)制(zhi)造了(le)一款Micro LED微型(xing)顯示(shi)器原型(xing)，具有200x80像素(su)和(he)每英(ying)寸391像素(su)的超高分辨率。為了(le)實現全彩(cai)顯示(shi)效果，團隊(dui)開發了(le)一種(zhong)集成藍、綠(lv)和(he)紅光(guang)的Micro LED陣列雙層顯示(shi)架構。

　　通(tong)過(guo)異構(gou)集成(cheng)的方法，團隊能夠(gou)利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實現藍、綠和紅光發射。

　　研究人員表示，新技術與多堆棧晶圓鍵合或顏色轉換等現有技術相比，其簡化了制造流程。利用該技術，研究團隊成功地在微顯示器上顯示全彩圖像，顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團隊表示，通過增強像素驅動器和優化GaN雙色外延片 的方法，可以進一(yi)步改善微顯示器的顏(yan)色混合并實現超過(guo)4000尼特的亮度。

　　02 謝菲爾德大學研發外延生長Micro LED技術

　　謝菲爾德大學(xue)的(de)研究人員開發了一(yi)種Micro LED制(zhi)造新方法(fa)，稱作Confined selective epitaxy (CSE) 的(de)技術(shu)(shu)。該技術(shu)(shu)允許在外延生長過程中(zhong)直(zhi)接(jie)形成Micro LED，而(er)不是使用傳統的(de)蝕刻工藝(yi)。新技術(shu)(shu)避(bi)免等離子體損壞(huai)，顯著提高(gao)Micro LED的(de)性能和功能。研究團隊表示CSE技術(shu)(shu)可有效解決Micro LED面臨的(de)多項(xiang)生產挑(tiao)戰(zhan)。

　　據團隊介紹，在效(xiao)率方面(mian)，CSE技術(shu)實現了尺(chi)寸(cun)為3.6μm的(de)綠光Micro LED，峰值外部量子效(xiao)率達到9%，較蝕刻技術(shu)打造的(de)Micro LED提升(sheng)1~5%。

　　在波長方面，CSE技術可實現以直接生長紅光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率 。在(zai)電(dian)流泄漏方面，CSE技(ji)術(shu)可將Micro LED側壁泄漏電(dian)流密度(du)降低至3×10- 6 A/cm2 ，減少(shao)顯示器像素的無(wu)意激活。

　　在集成(cheng)度方面，CSE技(ji)術實現(xian)了Micro LED與HEMT驅動(dong)器(qi)電子(zi)器(qi)件的直接集成(cheng)，避免了復雜的組裝步驟。